K4UHE3D4AA-GUCL手機(jī)芯片K4U6E3S4AA-MGCL

在近日三星舉辦的投資者會(huì)議上宣布，將在明年量產(chǎn)的第七代V-NAND產(chǎn)品中使用“雙堆棧”技術(shù)，具體堆疊層數(shù)卻并未透露，此前有消息稱，三星下一代3D NAND將超過160層。在128層工藝節(jié)點(diǎn)上，三星是唯一采用“單堆?！奔夹g(shù)生產(chǎn)3D NAND的企業(yè)。然而，對(duì)于堆疊層數(shù)更高的下一代NAND閃存，若不在其中增加強(qiáng)化結(jié)構(gòu)，很難再以相同方式增加層數(shù)。因此，三星計(jì)劃改用“雙堆?！狈绞綇?qiáng)化結(jié)構(gòu)，但是這樣做的弊病就是會(huì)增加制造程序，同一時(shí)間所能制造的產(chǎn)品數(shù)量便會(huì)減少，進(jìn)而產(chǎn)品成本競(jìng)爭(zhēng)力將會(huì)削弱。

三星電子執(zhí)行副總裁表示，由于采用雙堆棧技術(shù)的第七代V-NAND制造程序較前一代有所增加，因此，第七代產(chǎn)品的單價(jià)相較第六代將至少增長(zhǎng)約10%。理論上講，采用雙堆棧技術(shù)，3D NAND有望堆疊層數(shù)達(dá)到256層。盡管如此，三星強(qiáng)調(diào)，即使同樣采用“雙堆?！奔夹g(shù)，三星與其他企業(yè)也有顯著區(qū)別，由于三星NAND閃存單元高度是低于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的，因此更具有技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。由于NAND閃存是像公寓一樣將存儲(chǔ)單元垂直堆疊，因此增加堆疊層數(shù)并減少閃存單元高度是提升成本競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵。

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